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      光刻機一些技術原理

      什么是光刻機?

      掩模對準器也稱為掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。一般光刻工藝在晶片表面上進行清潔和干燥。 涂抹 旋涂光刻膠 軟烤 對齊曝光 后烘烤 開發 硬烘烤 蝕刻和其他過程。

      光刻是指通過光制作圖案(工藝)的過程;轉移晶片表面然后將掩模版上的圖案轉移到光刻膠上的過程暫時將器件或電路結構“復制”到晶片上。在這個過程中。

      光刻的目的

      使表面疏水以增強基板表面與光致抗蝕劑的粘附性。

      光刻機的工作原理

      分析了蝕刻機和光刻機的原理和區別

      上圖是光刻機的簡單工作原理圖。下面,簡要介紹圖中每個設備的作用。

      測量表 曝光表:帶有硅片的工作臺,這是本次提到的雙工作臺。

      光束對準器:校正光束的入射方向,使激光束盡可能平行。

      能量控制器:控制最終施加到硅的能量。曝光不足或過度曝光會嚴重影響圖像質量。

      光束形狀設置:將光束設置為圓形 環形和其他不同形狀,不同光束狀態具有不同的光學特性。

      著色器:當不需要曝光時,防止光束照射晶圓。

      能量檢測器:檢測光束的最終入射能量是否滿足曝光要求,并將其反饋給能量控制器進行調整。

      面膜:內部采用電路設計的玻璃板,耗資數十萬美元。

      掩模表:承載掩模版運動的器件,運動控制精度為nm級。

      物鏡:物鏡由20多個鏡頭組成。主要功能是縮小掩模上的電路圖,然后縮小激光映射的硅晶片,物鏡也可以補償各種光學誤差。技術難點在于物鏡設計的難度和高精度要求。

      晶圓:由硅晶體制成的晶圓。硅晶片有各種尺寸,尺寸越大,產量越高。偏離主題,由于硅晶片是圓形的,因此必須在硅晶片上切出間隙以確認硅晶片的坐標系。根據缺口的形狀,它分為兩種類型,即扁平 缺口。

      內部閉合框架 減震器:將工作臺與外部環境隔離,保持水平,減少外部振動干擾,并保持穩定的溫度 

      攝影機性能指標:光刻機的主要性能指標是:支持基板尺寸范圍,分辨率 對準精度 曝光模式 光源波長 強度均勻性 生產效率等。

      分辨率是描述光刻可以實現的最精細線精度的一種方式。光刻的分辨率受到光源衍射的限制,因此受光源 光刻系統 光刻膠和工藝的限制。

      對準精度是多層曝光時的中間層圖案的定位精度。

      曝光方法分為接觸式接近型 投影型和直接寫入型。

      曝光光源的波長分為紫外線 深紫外區域和極紫外區域,光源具有水銀燈和準分子激光器。

      光刻機的作用:

      光刻機是微電子技術的缺點,具有最高的技術難度。 每單位最大成本 決定了集成密度。

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