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      臨時鍵合有哪些方法

              隨著半導體器件的頻率持續上升,芯片厚度對器件性能具有顯著影響。薄芯片具有一定的散熱效率,機械性能和電氣性能,具有較大的市場應用前景,以減少封裝體積或減輕重量。半導體器件的背面工藝通常包括通過蝕刻 背面金屬化 芯片切割步驟來減薄襯底 由于半導體晶片變薄并且機械強度弱,并且由于應力容易發生卷曲,因此晶片易碎并且不能操作;當半導體晶片的襯底被減薄到40μm或甚至更薄到20μm時,晶片隨著半導體材料的厚度減小,切割的幾率增加。

      因此,半導體晶片需要附著機械強度的載體片以控制背面處理期間的開裂問題。目前,工業中使用的晶片鍵合方法通常在兩個晶片之間施加鍵合蠟,然后,通過鍵合機將兩個晶片鍵合在一起,并且在臨時滑塊的基礎上執行后續處理,這可以提高超薄晶圓的強度。

               通常有兩種分離臨時粘合的晶片的方法:首先,使用溶劑從粘合的兩個晶片的邊緣溶解粘合蠟,第二種是使用熱剪切。分離。在第一種方法中,溶解劑從晶片邊緣緩慢地溶解粘結蠟,溶解劑到達晶片中心的時間太長,分離效率太低;第二種方法是在熱切割過程中加熱半導體材料和金屬材料。膨脹和收縮系數不一致,導致晶片分離后金屬附著力下降,剪切過程中晶片損壞,導致產量低。

              當半導體襯底減薄到40μm或甚至更薄時,上述兩種分離方法在晶片分離后的晶片轉移過程中具有非常高的解理速率,并且不適合于生產超薄芯片。而且,在晶片與載體分離后,需要經過清洗 的工藝步驟,開裂率一直是工業上的問題,嚴重阻礙了超薄芯片在半導體工業中的應用。

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